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可控开关器件认识


2017-04-28 10:40   点击:35
                        下面我们从器件对触发信号波形的要求、开关频率、单双极、主要优、缺点方面考虑,七种可控开关器件BJT、SCR、GTO、P-MOSFET、IGBT、MCT、SIT。

  BJT:电流型全控器件;正持续基极电流控制开通,基极电流为0则关断;开关频率适中;双极;主要优点:通态压降小,通态损耗小;主要缺点:驱动功率大,频率低。

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  SCR:电流型半控器件;正脉冲门极电流控制开通,触发信号不能控制开断;开关频率低;双极;主要优点:通态压降小,通态损耗小;主要缺点:驱动功率大,频率低。

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  GTO:电流型全控器件;正脉冲门极电流控制开通,负脉冲门极电流(较大)控制关断;开关频率低;双极;主要优点:通态压降小,通态损耗小;主要缺点:驱动功率大,频率低。

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  P-MOSFET:电压型全控器件;正持续栅极电压控制开通,负持续栅极电压控制并保持关断;开关频率高;单极;主要优点:输入阻抗高,驱动功率小,驱动电路简单,工作频率高;主要缺点:通态压降大(通态损耗大),电流、电压额定低。

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  IGBT:电压型全控器件;正持续栅极电压控制开通,负持续栅极电压控制并保持关断;开关频率较高;双极;主要优点:输入阻抗高,驱动功率小,驱动电路简单,工作频率高;主要缺点:通态压降大(通态损耗大)。

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  MCT:电压型全控器件;正脉冲电压控制开通,负脉冲电压控制关断;开关频率较高(低于IGBT);双极;主要优点:输入阻抗高,驱动功率小,驱动电路简单,工作频率高;主要缺点:通态压降大(通态损耗大)。

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  SIT:电压型全控器件;持续电压控制断、通;开关频率高;单极;主要优点:输入阻抗高,驱动功率小,驱动电路简单,工作频率高;主要缺点:通态压降大(通态损耗大)。

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